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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高深溜井井筒堵塞状况观测监听方法-CN201210527031.3有效
发明人：陈永祺 -专利权人：酒泉钢铁（集团）有限责任公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： E21B47/002 文献下载
摘要：本发明提供了一种高深溜井井筒堵塞状况观测监听方法，钻凿与高深溜井相通的观察炮孔，高深溜井发生堵塞后，通过音频视频监听系统观察高深溜井内放矿时矿石的流动情况，设定矿面下落后距离观察炮孔与高深溜井相交处中心位置的垂直距离，计算放矿量，使高深溜井内的矿面距离观察炮孔与高深溜井相交处中心位置的垂直距离符合设定的距离要求；测算出高深溜井内矿石的堵塞位置；对高深溜井井筒内的堵塞拱进行监听，判断堵塞拱的稳定程度。
高深溜井井筒堵塞状况观测监听方法

[发明专利]高深宽比微结构中底部电极表面的检测装置和检测方法-CN201410251035.2有效
发明人：于中尧 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了高深宽比微结构中底部电极表面检测的装置和检测方法，其中，所述装置包括该高深宽比微结构包括：至少一个高深宽比结构，与每个高深宽比结构对应的一个底部电极和一个引出电极，底部电极与引出电极相连，所述装置还包括：围堰、导电溶液、公共电极、测试电极和测试系统，其中，围堰位于高深宽比微结构上，并与高深宽比微结构配合形成容器，导电溶液盛放与围堰与高深宽比微结构形成的容器中，公共电极位于导电溶液中，测试电极与引出电极连接
高深微结构底部电极表面检测装置方法

[发明专利]一种具有高深宽比的母版的制作方法、母版及其应用-CN202010066772.0在审
发明人：基亮亮;周小红;刘麟跃 -专利权人：苏州维业达触控科技有限公司;维业达科技（江苏）有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种具有高深宽比的母版的制作方法，包括：提供一衬底；在衬底上制备一传递层；在传递层制备一具有第一图形凹槽的结构层；对第一图形凹槽进行刻蚀，直至达到所需深度的第三图形凹槽，得到母版，其中，第三图形凹槽包括设置于传递层的第一图形凹槽本发明还公开一种具有高深宽比的模具的制作方法，对上述母版进行翻版，得到具有高深宽比的模具。本发明还公开了一种具有高深宽比的母版，采用上述具有高深宽比的母版的制作方法制作。本发明还公开一种具有高深宽比的模具，采用上述具有高深宽比的模具的制作方法制作。通过上述方法，便于制作高深宽比的第三图形凹槽，同时对各层的可控性强。
一种具有高深母版制作方法及其应用

[发明专利]高深宽比间隙掺杂层间介质的填充方法-CN200910199436.7无效
发明人：孙凌;智晓愿;时延;刘正超;黄庆丰 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明的高深宽比间隙掺杂层间介质的填充方法包括以下步骤：采用高密度等离子体化学气相淀积法淀积氧化膜填充高深宽比间隙；在上述氧化膜上淀积掺杂氧化物。本发明的高深宽比间隙掺杂层间介质的填充方法改善了掺杂层间介质填充高深宽比间隙的工艺，提高了半导体器件的性能。
高深间隙掺杂介质填充方法

[发明专利]一种高深宽比柔性纳米柱阵列的制造方法-CN201510124275.0有效
发明人：马志波;苑伟政;姜澄宇;乔大勇;孟海莎 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是属于集成电路和微纳电子机械系统制造领域，特别是一种高深宽比纳米结构阵列的制造方法。该方法需要制备高深宽比柔性纳米纤毛结构的软模板，软膜版以PDMS为浇注材料；复制高深宽比柔性纳米纤毛阵列的模板。本发明的有益效果是针对高深宽比柔性纳米结构的制造难点，提出了基于PDMS和紫外光固化胶OrmoStamp两种柔性材料，通过两次压印的方法，实现高深宽比纳米纤毛阵列的柔性制造，为高深宽比柔性纳米结构的制造提供重要的技术支持
一种高深柔性纳米阵列制造方法

[发明专利]一种通孔结构及其制作方法-CN201310317725.9有效
发明人：曹立强;戴风伟 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明中揭示的方法可用于形成高深宽比或超高深宽比的TSV结构。从而解决高深宽比或超高深宽比TSV结构在形成工艺、设备、成品率以及可靠性方面的种种限制。相应的，本发明还提供了一种TSV通孔结构。
一种结构及其制作方法

[发明专利]基于SOI的超高深宽比纳米结构阵列的制作方法-CN201510125461.6有效
发明人：马志波;苑伟政;姜澄宇;乔大勇;孟海莎 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明为基于SOI的超高深宽比纳米结构阵列的制作方法，属于微机电系统(MEMS)工艺领域，尤其涉及一种MEMS工艺中的超高深宽比纳米阵列的制备工艺。该方法通过多晶硅和氮化硅交替沉积和刻蚀的方法实现不同阵列数目的超高深宽比纳米结构阵列的制作，同时高深宽比纳米结构阵列的间距可以通过改变二氧化硅层的厚度实现，本发明工艺流程简单易实现，降低制作成本，解决了MEMS工艺中超高深宽比纳米结构阵列的制作难题。
基于 soi 高深纳米结构阵列制作方法

[发明专利]高深宽比结构中电镀液的填充方法-CN202210641524.3在审
发明人：刘博;黄景山;孔宪明 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C25D5/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种高深宽比结构中电镀液的填充方法，该方法首先对晶圆表面进行置换气体处理，利用置换气体排出高深宽比结构中的空气；然后对晶圆表面进行去离子水处理，利用去离子水溶解置换气体并至少填充高深宽比结构的底部区域；最后电镀液与去离子水交换并填满整个高深宽比结构的内部。本发明所提供的方法，在不改变原有电镀工艺主体流程的条件下，通过电镀前的置换气体处理和去离子水处理，改善了电镀液难以进入高深宽比结构的底部区域，在底部区域留下气泡的问题，在保证电镀工艺品质的同时，降低了电镀前处理的成本
高深结构电镀填充方法

[发明专利]高深宽比X射线标靶及其用途-CN201510398704.3有效
发明人： N·W·帕克;M·W·乌特劳特;L·F·T·夸曼;T·G·米勒 -专利权人： FEI公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：公开了高深宽比X射线标靶及其用途。X射线标靶、使用所述X射线标靶的方法以及具有用于执行使用所述X射线标靶的方法的指令的计算机程序产品。所述X射线标靶包括由软X射线产生材料制成的衬底以及由硬X射线产生材料制成的高深宽比结构。所述硬X射线产生材料被嵌入在所述衬底中、形成在所述衬底上、被从所述衬底边缘向外悬臂伸出，或者为其任意组合。所述高深宽比结构包括多个布置在一个或多个网格或阵列中的高深宽比结构，并且所述一个或多个网格或阵列之一中的所述高深宽比结构被布置以形成Hadamard矩阵结构。
高深射线及其用途

[发明专利]针对SiC材质实现大尺度、高深宽比三维结构加工方法-CN201210517235.9无效
发明人：朱健;侯智昊;石归雄;郁元卫 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： B81C99/00 文献下载
摘要：本发明是一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，包括如下工艺步骤：一、利用易加工的硅材料先进行大尺度、高深宽比三维结构构架加工；二、在硅基上异质生长SiC材料；三、将硅腐蚀掉，最后形成SiC大尺度、高深宽比三维结构构架。优点：解决了由于SiC材质类似于金刚石的硬度而无法或很难直接进行大尺度、高深宽比三维结构加工，利用MEMS牺牲层技术和SiC材料生长技术巧妙结合，实现SiC大尺度、高深宽比三维结构加工；本发明包括硅基三维结构设计
针对 sic 材质实现尺度高深三维结构加工方法

[实用新型]一种高深直溜井高效循环通风结构-CN201320177113.X有效
发明人：高伟;余正方;罗正泥;罗平 -专利权人：玉溪大红山矿业有限公司
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： E21F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高深直溜井高效循环通风结构，涉及高深直溜井之回风通道，所述回风通道上分布式设置风机，风机在高深直溜井内构建回风循环结构。本实用新型采用在高深直溜井各分段联道上设置回风通道的方式，利用钻掘竖直溜井、在回风通道上、下口设置风机，与高深直溜井形成回风循环结构，通过压风机将所需求的新鲜风量有效压入到作业面，最终通过排风机将污风排至回风系统的方法
一种高深溜井高效循环通风结构

[发明专利]高深宽比结构中的触点清洁-CN201510543852.X在审
发明人：巴渝·西德约伊斯沃罗;海伦·朱;琳达·马克斯;朴俊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及高深宽比结构中的触点清洁。公开了清洁具有多个高深宽比开口的衬底的方法和装置。可以将衬底提供到等离子体处理室中，其中衬底包括多个高深宽比开口，多个高深宽比开口由具有交替的氧化物层和氮化物层或交替的氧化物层和多晶硅层的多个垂直结构限定。衬底可以包括在高深宽比开口内的在受损的或非晶硅层上的氧化硅层。为了去除氧化硅层，可以在低压下向等离子体室内施加偏置功率，并且基于氟的物质可用于蚀刻氧化硅层。
高深结构中的触点清洁

[发明专利]一种高深宽比硅结构的侧壁平滑方法-CN201210442204.1有效
发明人：李铁;高安然;俞正寅;戈肖鸿;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，先在硅衬底表面形成氧化硅掩膜，然后根据氧化硅掩膜于硅衬底中制作高深宽比硅结构，接着采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法或喷涂法于所述高深宽比硅结构侧壁形成含氟聚合物本发明具有以下有益效果：1）本发明工艺简单，可控性强，且与现有半导体工艺完全兼容；2）本发明可实现对原结构完美薄膜包覆，快速提高侧壁的平滑度，且不影响高深宽比硅结构；3）特别适用于传感器件，模具或微流体沟道的应用场合，当高深宽比硅结构用作模具时，疏水性聚合物薄膜的沉积更利于脱模。
一种高深结构侧壁平滑方法

[实用新型]一种高深溜井接茬处防卡堵结构-CN201822225830.0有效
发明人：孟亚辉;孙旭如;刘天涯;李保健 -专利权人：临沂会宝岭铁矿有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： E21F13/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高深溜井接茬处防卡堵结构，该结构包括高深溜井主体，所述高深溜井主体用于连接上层平巷以及下层平巷；所述高深溜井主体的纵截面具有阶梯结构，所述阶梯结构包括相连的小直径段以及大直径段；所述小直径段的上端与所述上层平巷导通本申请提供的高深溜井接茬处防卡堵结构，结构简单合理，开设使用方便，采用增大下层接茬溜井直径的方式，可以有效的解决溜井卡堵问题，使溜井在使用过程中，安全性能得到大大提升。
溜井平巷大直径段小直径段防卡堵导通下层阶梯结构上端卡堵下端上层本实用新型安全性能生产效率纵截面申请

[发明专利]一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法-CN202011619697.2在审
发明人：张俐楠;陆凯;刘红英;吴立群;王洪成 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法，通过设置超声波换能器探头与电磁铁，电磁铁的磁力作用能够增强刻蚀的速率，提高刻蚀孔的垂直性，超声波和磁场耦合作用高深宽比刻蚀硅基，减少表面损伤，降低机械应力，能够有效保证刻蚀的精度以及侧壁的质量，形成合理的高深宽比的硅微通道，保证使用效果，有利于上述基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构在微纳米制造技术领域的推广及应用。
一种基于超声波磁场耦合作用刻蚀高深结构及其研究方法

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